роден: 2 януари 1897 г. в София, България

починал: 19 юни 1979 г. в София, България, на 82 г.

погребан в: Берлин, Германия

националност: България

професия: физикохимик

образование: Софийски университет „Св. Климент Охридски“

научна дейност:

• област: Физикохимия

Иван Николов Странски е български учен, основател на българската школа по физикохимия и считан за „баща“ на кристалния растеж. Той е един от малкото български учени, номинирани за Нобелова награда.

Биография

Иван Странски е роден в София в семейството на Никола Странски, придворен аптекар, и Мария Странска (рождено име Корн, немкиня от Прибалтика). Той е част от калоферския род Странски; чичо на Иван е революционерът и политик Георги Странски, а негов първи братовчед е почвоведът Иван Странски. От детска възраст страда от заболяването костна туберкулоза, нелечима по онова време.

Завършва средното си образование в Първа мъжка софийска гимназия. С идеята да се бори с болестта си, решава да следва медицина, но след една година следване във Виена, силно разочарован от възможностите на медицината, решава да прекъсне. През 1922 г. завършва висше образование в Софийския университет, специалност химия. Защитава докторска дисертация в Берлин при Паул Гюнтер върху рентгенова спектроскопия.

През 1925 е избран за първия доцент в новооткритата Катедра по физикохимия към Физикоматематическия факултет на Софийския университет, и става първият преподавател по физикохимия в България.

От 1929 г. е вече извънреден професор, а редовен – от 1937. В преподавателската си кариера води лекции по всички области на физикохимията, привлича в катедрата способни учени – Ростислав Каишев, Любомир Кръстанов и др. – заедно с които прави най-значителните си разработки.

През 1930 е поканен в Берлинския технически университет (БТУ) като Рокфелеров стипендиант за съвместна работа с Макс Фолмер заедно с Каишев. В периода 1935-1936 с Каишев публикуват основоположните си трудове по теорията на средните отделителни работи. По-късно с Любомир Кръстанов предлагат механизма на растеж на кристал върху подложка от друг кристал.

По покана на Валтер Косел за съвместна работа в Бреслау, заминава за Германия през 1941. През войната участва в разработки, например, за предотвратяване на образуването на ледени кристали върху немските самолети.

С приближаването на съветската армия към границите на Германия, Странски се завръща отново в Берлин, където работи в Кайзер Вилхелм институт за физикохимия и електрохимия. След капитулацията на немците Макс Фолмер е отведен насилствено в СССР и Странски заема неговото място като ръководител на Катедрата по физикохимия в БТУ в западен Берлин. Полуунищожен от бомбардировките, чрез усилията на Странски, БТУ е от малкото университети в Германия, открили учебна година още през 1945.

В периода 1948-49 е декан на факултета по общи и инженерни науки, а след това ректор и заместник-ректор на БТУ. През 1953 става директор на Фриц Хабер институт (новото име на Кайзер Вилхелм институт), пост, който са заемали Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.

С идването на социалистическата власт в България Странски е обвинен във връзки с фашисткия режим и е уволнен от катедрата, която създава. Едва през 60-те години учениците му успяват да издействат той да бъде избран за чуждестранен член на БАН, и през 1967 г. Странски за първи път след войната се завръща в родината си.

Умира в България през 1979 г. Погребан е в Берлин.

Иван Странски е член е на научните академии в Гьотинген (1939), Бавария (1959), Ню Йорк, Шведската академия на науките. Хоноруван сенатор на БТУ на Западен Берлин (1962). Неговото име носят два научни института – Институтът по физика и химия към БТУ и Институтът по металургия в Оберхаузен. Носител на два ордена „Кирил и Методий“ и редица международни отличия.

Трудове

Иван Странски е един от основателите (заедно с Косел) на молекулно-кинетичната теория за формирането и растежа на кристалите. Въвежда за първи път понятието „положение на полукристал“. Заедно с Ростислав Каишев установяват връзката между формата, структурата и силите на междумолекулно взаимодействие в кристалите на базата на молекулна трактовка. Разработват метода на средните отделителни работи – молекулно-кинетичен метод, изиграл роля в развитието на теорията на зараждането и растежа на кристалите.

Създават модела на Каишев и Странски за послойния растеж на кристалите, имат заслуги за изясняване на връзката между двумерното зародишообразуване и спиралния растеж на кристалите.

С Любомир Кръстанов предлагат механизъм на растеж на един кристал върху подложка от друг.

В Берлин работи в различни области от физикохимията, предимно теоретични разработки с непосредствено практическо приложение: триболуминисценция, топене, разлагане на уротропин, електронна емисия на кристални повърхности (тези му изследвания водят до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM).

Сериозно приложение имат теоретичните му работи в областта на металургията, с помощта на които рудодобивът в Западна Германия става значително по-ефективен и рационален.

Той е един от малкото български учени, номинирани и номиниращи за Нобелова награда.

източник: уикипедия